電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月6日 110106_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

30ナノ技術を使ったDDR4 DRAMと2ギガBモジュール


 サムスンが開発したDDR4 DRAMは、新回路アーキテクチャを採用することで、データ転送速度最大3.2ギガビットを実現。30ナノメートル級技術による1.35Vおよび1.5V電圧のDDR3に比べ、約2倍の高速性能を提供する。

  新モジュールは、4ギガビットのDDR4 DRAMを8枚使用した容量2ギガバイトのDDR4 UDIMM。データレートは、1.2V電圧で2.1333ギガビット/秒だ。

  サムスンは今回、グラフィックDRAMモジュールに適用してきた「疑似オープンドレイン(POD)」という新技術を採用。これにより、新モジュールのデータ読み書き時の消費電力は、DDR3モジュールに比べ半減する。

  また、このモジュールをノートPCに搭載した場合は、1.5V電圧のDDR3モジュール搭載PCよりも消費電力を40%削減できる。

  新モジュールは先月中に開発を完了しており、コントローラメーカー向けに試験用として提供済み。サムスンは、今年下半期のDDR4技術のJEDEC標準化策定を支援するため、サーバーメーカーなどと密接に連携していく考えだ。


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