64Mb高速不揮発性抵抗変化型メモリ（ReRAM）

　エルピーダメモリは、次世代メモリーである高速不揮発性抵抗変化型メモリー（ReRAM）の開発に成功したと発表した。13年後半には製品化し、14年から量産を開始する予定。DRAMとフラッシュメモリーの速度差を埋めるメモリーとして各種携帯機器などでの応用を見込む。

　開発したReRAMは、回路線幅50ナノのプロセス技術を用いて製造。同メモリーとして世界最高水準の容量となる64メガビットのメモリーセルアレイ動作を確認した。セルサイズは62F。

　ReRAMは、電圧を加えることで、抵抗値が変化する材料を素子として用いる。不揮発性メモリーでありながら、書き換え速度はDRAM並みの10ナノ秒と高速性を併せ持つ。

　エルピーダでは、抵抗変化する材料としてDRAMでも用いられるハフニウム系酸化物を使用。「製造設備も基本的にDRAM用の装置で製造できる」（安達隆郎取締役）とし、製造コストを抑えられる。

　今後、製品化に向けた技術開発を進め、13年後半には30ナノプロセス技術を用いて42Fセルの8ギガビット容量品を製品化する予定。「14年の量産時の価格は、容量当たりでDRAMの7割程度となる見込み」。

　用途としては「まずはDRAMとNAND型フラッシュメモリーの速度差を埋めるキャッシュメモリーとして、ブルーレイ録画機など現在、高速なフラッシュメモリーを求める用途から普及する見込み。将来的には、電池駆動のモバイル機器で一部、DRAMを置き換えることになるだろう」と安達取締役は話す。

　ReRAMの研究開発はシャープ、NEDO、東京大と共同で実施している。