電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月27日 120127_02 日本触媒 電子材料 電子材料 一般産業用

高い耐熱性の「次世代SiCパワーデバイス用半導体封止材



 日本触媒は、独自開発のナノマテリアル技術を活用し、高い耐熱性を持つ「次世代SiC(炭化ケイ素)パワーデバイス用半導体封止材」(製品名=「IX―NC―EPシリーズ」)を開発した。

同材料を使用したトランスファーモールド材(固形)では、従来材がTg(ガラス転移温度)180―200度C程度であるのに対し、Tg294度Cの高耐熱を実現した。既にサンプル出荷を開始し、「早ければ13年からの量産化を目指す」(同社先端材料研究所)。


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