電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
7月27日120727_01 ローム 半導体素子 ディスクリート 一般産業用

100Aの大電流対応の耐圧40VハイパワーMOSFET




 ロームは、業界最高クラスの高効率性能を実現した100Aまでの大電流対応の40V耐圧MOSFETを8月から量産を開始し、ハイパワーMOSFET市場に新規参入する。

 産業機器、車載、電動工具、UPS、PC.サーバーなどのハイパワー機器の24V入力系DC―DCコンバータ回路用ハイパワーMOSFETで求められている低オン抵抗、低ゲート容量を両立。100Aまでの大電流、1メガヘルツ までの高周波に対応。MOSFETの性能指数(FOM)も21mΩ.nC(ミリオーム・ナノクーロン)の高効率性能を達成した。

 同社従来品の40V耐圧MOSFETは、電流値20Aまで、周波数300キロヘルツ までで、FOM77mΩ.nCのため、民生機器のモーター用途が中心だった。今回、高効率性能のハイパワーMOSFETを開発。パッケージもHSOP8、TO―220、LPTS(D2―PAK)、HSMT8、SOP8、CPT3(D―PAK)と40V耐圧品初の6種類を取りそろえ、対応できる市場を産業機器から車載機器、サーバーまで一気に拡大した。

 同期整流回路での性能を確保するためのUIS(L負荷アバランシェ耐量)100%試験を今回の全品種を対象に実施。高品質、高信頼性を確保した。全品質試験実施は初。生産は前工程をローム本社(京都市)、後工程をローム インテグレイティッド システムズ(タイランド)、ローム コーリアで行う。月産能力100万個でスタート。サンプル価格30―100円。

 新開発の40V耐圧ハイパワーMOSFETは、従来アルミ配線の二次元で形成していたトレンチ型フィールドプレート構造を三次元で形成することでオン抵抗を下げた。また、トレンチ型ゲートの底を覆うゲート絶縁酸化膜内側に厚い酸化膜を埋め込む低容量構造にし、ゲート容量を下げた。今回のトレンチ型フィールドプレート構造、低容量構造を採用した60V耐圧品を12年度末に、これら構造を改良した100V耐圧品を来夏にそれぞれサンプル出荷する予定。


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