電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
9月17日 120917_01 三菱電機 半導体素子 ディスクリート 通信インフラ用

衛星通信向けKu帯50W出力GaNのヘテロ構造電界効果トランジスタ


 三菱電機は、衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスとして業界最高水準の出力、電力負荷効率、線形利得を実現した「Ku帯50W出力GaN HEMT」を10月1日から発売する。衛星地球局の小型化を実現する。サンプル価格は10万円。

 新製品は、耐圧性に優れたGaN(窒化ガリウム)を採用したHEMT(ヘテロ構造電界効果トランジスタ)。12ギガ―18ギガヘルツ 帯(Ku帯)のマイクロ波を使用する衛星通信地球局向け。24Vの高電圧動作により、50Wの出力を実現した。供給された電力が出力信号に変換される効率である電力負荷効率で30%を達成。従来品より10ポイント向上させた。新開発の高耐圧ゲート構造とレイアウトの最適化で、線形利得9デシベルの高利得を実現した。


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