高級オーディオアンプ向けシリコンカーバイドのMOSFET

　ロームは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）―ＭＯＳＦＥＴの新しい用途として高級オーディオ用アンプを加え、同アンプ向けにも営業活動を始める。

　ＤＣアンプ設計の第一人者、金田明彦元秋田大学助教授が自作ＤＣアンプの半導体パワーアンプにロームのＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴを採用。アンプ用半導体パワーアンプとして一般的に使われているシリコン（Ｓｉ）パワーＭＯＳＦＥＴの大電流型ＭＳＯＦＥＴと聴き比べ、音の鮮やかさ、楽音変化の多彩な表現力などでＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴが優れていると高く評価。シーテック会場の同社ブースと１３日の西東京・コール田無の２会場で開催したＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴ搭載ＤＣアンプ試聴会に参加したオーディオマニアからも好評なことから、ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴを高級オーディオ用アンプ向けにも拡販することにした。

　ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴのターゲット市場としている家庭用インバータ、パワコン、各種電源、電力機器、電気自動車、ハイブリッド車、輸送機器、特殊作業機器などに高級オーディオ市場を追加。１０年度売上高１７億円、１１年度３２億円だったＳｉＣ関連事業を１２年度３６億円、１４年度１０２億円に拡大する売上げ計画を加速する。

　今回のＤＣアンプに使用されたＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴは６月にサンプル出荷し、７月から量産を開始した第２世代ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴ。ボディーダイオードに順方向電流を流せるようにし、オン抵抗を８０ｍΩに抑え、耐圧も１２００Ｖに高めた。これにより、パワコン、各種電源、電力機器用途ではさらに損失低減、効率向上を実現。高周波機器の信頼性を向上したい溶接機、誘導加熱装置などの工業用電源や機器全体の小型化、２００度Ｃ以上の高温動作が求められる電気自動車、ハイブリッド車、輸送機器、特殊作業機器などでも採用が進むと期待している。

　ロームは、１０年４月に国内メーカーのトップを切ってＳｉＣショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の量産を開始。同年１０月には世界で初めてＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴの量産を始めた。今年３月からは内蔵するパワー半導体素子を全てＳｉＣで構成した世界初のフルＳｉＣパワーモジュールの量産を開始。６月にはＳｉＣ―ＳＢＤ、ＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴの第２世代品を相次いで市場投入するなど、ＳｉＣパワーデバイス、ＳｉＣパワーモジュール事業を立ち上げている。