シリコン基板上にGaNを形成した照明用LED

　東芝は、照明用白色ＬＥＤを製品化し今月下旬から量産を行うと発表した。直径２００ミリメートルのシリコン基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）を結晶成長させる「ＧａＮ　ｏｎ　Ｓｉ」で実現した。月産１千万個の量産規模を予定し、１６年度には白色ＬＥＤ市場で１０％のシェアを目指す。

　白色ＬＥＤは、一般にサファイア基板上にＧａＮを形成し、ＬＥＤ素子を作製する。

　今回、東芝は米ブリッジラックス社と共同で、価格競争力のあるＧａＮ　ｏｎ　ＳｉでのＬＥＤ素子を開発。製品化に至った。

　第１弾製品「ＴＬ１Ｆ１シリーズ（１Ｗ）」は６.４×５.０×１.３５ミリメートルサイズ。光出力は３５０ｍＡ駆動時、１１２ルーメン。