定格1200Vで1200AのフルSiCパワー半導体モジュール

　三菱電機は、全ての半導体素子をＳｉＣ（炭化ケイ素）による素子で構成する「フルＳｉＣパワー半導体モジュール」で世界最大容量での動作を実現した。シリコンによるパワー半導体モジュールに比べ電力損失を７５％低減でき、ＦＡ機器やエレベータ、太陽光発電システムなどの用途で応用を目指す。

　動作実証したフルＳｉＣパワー半導体モジュールは定格電圧１２００Ｖ、定格電流１２００Ａの容量を達成した。

　これまではダイオード、トランジスタ双方をＳｉＣデバイスで構成したフルＳｉＣモジュールは、定格電圧１２００Ｖの場合においては、定格電流１千Ａ以下に限られていた。

　大容量対応に向け、三菱電機では、新たなモジュール設計技術を適用した。

　大電流化に伴って高速スイッチング時に、瞬間的に電圧が上昇し電力損失が増えるとともに素子が破損するという課題がある。これに対し、同社ではモジュールの内部構造を最適化し、高速スイッチング時に発生する電圧上昇をシリコンと同等に抑制した。

　また、大容量化に対応するため、モジュール内を２ブロックに分け並列化。並列間に流れる電流が不均一になるとモジュール内の温度が不均一になり、素子が破損する可能性があるが、モジュール内のチップ配置、配線を最適化することで均一化し、並列化を実現した。