電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
7月28日 160728_01 リニアテクノロジー 半導体集積回路 汎用リニアIC 一般産業用

直線性と低ノイズを実現した15デシベルゲイン・ブロック・アンプ


 リニアテクノロジーはOIP3(出力の3次インターセプト・ポイント)が150メガヘルツで47dBmの卓越した直線性と3.22デシベルのノイズ・フィギュアを実現する、広帯域15デシベルゲイン・ブロック・アンプ「LTC6433−15」の販売を開始した。同製品は5Vの単一電源で動作し、電源電流は公称95mA。このデバイスはマイナス40−85度の動作温度範囲で仕様が規定され、4×4ミリメートルのプラスチックQFNパッケージで供給される。

 1千個時の参考単価は性能が保証されたAグレード・バージョンが4.89ドルから、Bグレード・バージョンが1.89ドルからで、どちらのバージョンも同社国内販売代理店各社経由で販売される。

 このアンプはOP1デシベル(出力の1デシベル利得圧縮ポイント)が優れており19.2dBm。一般にGaAsまたはpHEMTプロセスを使って製造されるほかのゲイン・ブロック・アンプとは似ておらずユニーク。

 従来のFET技術は、1/fノイズ・コーナー周波数が約20−30メガヘルツと高いのでノイズ・フロアが高くなりやすく、低周波数で使用できなかった。これに対してLTC6433−15アンプのコアは、高周波SiGeバイポーラ技術を使って製造されているため、1/fノイズ・コーナー周波数がかなり低く、通常10キロヘルツ未満でノイズの大幅な増加なしに100キロヘルツまでの低周波数で使用できる。

 さらに、GaAsおよびpHEMTタイプのデバイスの性能は内部FETのバイアス電圧に大きく依存し、デバイスごとに大きくばらつく可能性がある。新製品はこれとは異なり、全温度範囲にわたり、またデバイス間で性能が安定しており、電源電圧変動の影響を受けにくくなっている。


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