電波プロダクトニュース



180712_01
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
7月13日 180713_01 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

データ転送速度1.4Gbpsを達成可能、第5世代3DV-NAND


Toggle DDR4.0採用の第5世代V-NAND

 【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、世界最速のデータ転送速度をうたう第5世代3D V―NANDの量産を開始した。

 業界初の「Toggle DDR4.0」インターフェイスの採用により、ストレージとメモリー間のデータ転送速度は1.4Gビット /秒(Gbps)を達成。前世代64層V―NANDに比べ40%の高速化を実現している。

 一方、動作電圧を1.8Vから1.2Vに下げたことで消費電力は前世代と変わらず。書き込み速度は500μ秒と30%高速化、読み込み応答速度は50μ秒に大幅短縮された。

 業界最大となる90層以上の3D CTF(チャージトラップフラッシュ)セルをピラミッド構造で集積しており、総セル数は850億個以上。各セルは3ビットのデータを保存可能だ。

 さらに、原子層堆積技術を採用したことで生産効率が30%向上。最先端技術により各セルの層の高さが20%削減され、セル間の混線を防止、チップのデータ処理効率がアップした。

 サムスンでは現在、容量1テラビット の製品やクアッドレベルセル(QLC)を用いた第5世代V―NANDも準備中。スパコンやエンタープライズサーバー、ハイエンドスマホ分野などをターゲットに、高性能メモリーを提供していく。


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