高効率で高電力密度のSiC MOSFET

ＮＴＨＬ０８０Ｎ１２０ＳＣ１／ ＮＶＨＬ０８０Ｎ１２０ＳＣ１ の製品イメージ

　オン・セミコンダクターは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴデバイス２製品を発表した。

　新製品は、インダストリアルグレードの「ＮＴＨＬ０８０Ｎ１２０ＳＣ１」と「ＡＥＣ―Ｑ１０１オートモーティブグレードのＮＶＨＬ０８０Ｎ１２０ＳＣ１」。

　ワイドバンドギャップ技術で実現可能な広範な性能上のメリットを電気自動車用の車載ＤＣ−ＤＣやオンボードチャージャのアプリケーションならびに太陽光発電、無停電電源、サーバー電源のようなエンドアプリケーション分野に提供する。

　今回の発表では、同社の包括的で成長中のＳｉＣエコシステムの強化を目指している。ＳｉＣダイオードやＳｉＣドライバーなどの補完的なデバイスに加え、デバイスシミュレーションツール、ＳＰＩＣＥモデル、アプリケーション情報などの極めて重要なリソースを提供することで、設計エンジニアやシステムエンジニアの高周波回路開発上の課題に対応する。

　新製品は、堅ろうで現在の高周波設計のニーズに合致。高い電力密度と高効率の動作を併せ持っており、デバイスのフットプリントが小さいため、運用コストとシステム全体のサイズを低減できる。

　主な特徴と関連する設計上のメリットは、低リーク電流、低逆回復電荷を有する高速固有ダイオードによる電力損失の低減と、より高い周波数での動作、より高い電力密度、低い順方向電圧と組み合わされた低いＥｏｎおよびＥｏｆｆ／高速ターンオン、オフによる全電力損失の低減と、それに伴う冷却要件の低減など。

　デバイスキャパシタンスが小さいため、非常に高い周波数でスイッチする能力をサポートし、ＥＭＩの問題を軽減する一方で、サージ、アバランシェ能力、短絡に対する堅牢性が、全体的な耐久性を高め、信頼性を向上させ、全体的な平均寿命を延ばす。

　ＮＶＨＬ０８０Ｎ１２０ＳＣ１は、高サージ電流に耐えるように設計、短絡に対して高いアバランシェ能力と堅ろう性を提供。

　１７５度の最大動作温度は、車載設計や、高密度およびスペース制約により周囲温度が押し上げられるほかのターゲットアプリケーションでの使用に適している。

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