電波プロダクトニュース



040901_03
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
9月1日040901_03 (米)インテル 半導体集積回路 メモリ 一般産業用

70MビットSRAM



米インテルは8月30日、65nm(ナノメートル)のプロセス技術を使い、5億以上のトランジスターを集積した70MビットのSRAMを開発したと発表した。

65nm技術により、トランジスターのゲート長は35nmになり、90nmのプロセス技術で製造されている現行のトランジスターのゲート長に比べて、約30%の小型化を実現したことになる。 またゲート酸化膜の厚さは1.2nm。8層の銅配線と「low―k(低誘電率)」の絶縁材料を使用して、チップ内の信号速度の向上とチップの消費電力の低減を実現した。同社は昨年11月、65nmプロセス技術を用いて4MビットのSRAMを開発したが、今回はこの技術により110平方ミリという極超のダイ面積で、完全動作する70MビットSRAMを開発したもの。同SRAMはオレゴン州ヒルズボロの同社工場で生産される。


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