電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
9月11日040911_03 サムスン電子 半導体集積回路 メモリ パソコン・OA機器用

512MビットDDR型SDRAM



サムスン電子は9日、90ナノメートル(nm)のプロセス技術による512Mビット容量のDDR型SDRAMの量産を近く開始すると発表した。現在は主要チップセットメーカーにより検証中という。

同社は昨年、90nmによる技術で2GビットのNAND型フラッシュメモリーを生産開始、今回はこのフラッシュメモリーに次ぐ技術的快挙としている。 90nmによる512MビットのDDR型SDRAMは2.5Vの電圧で、動作周波数は400Mヘルツと333Mヘルツ。

同社のデザインプロセス技術は0.1マイクロメートルから90nmへと移行しており、90nmだと0.1マイクロメートルと比較して40%も生産性が向上すると、同社は説明している。 同社は回路の超微細化を実現するために、短い波長の光源としてフッ化アルゴン(ArF)を採用したほか、独自の3次元(3D)トランジスター回路技術やRCAT(リセス・チャンネル・アレイトランジスター)を使った。

米調査会社ガートナーによると、DRAM製品は512M容量に移行、同容量のDRAMは15年には世界で130億ドルに達するという。


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