040922_05サムスン電子

040922_05
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
9月22日	040922_05	サムスン電子	半導体集積回路	メモリ	情報家電用

NAND型フラッシュメモリー

サムスン電子は20日、60ナノメートル（ｎｍ）の回路線幅技術を使って記憶容量8Ｇビット（Ｇｂ）という世界最大容量のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発したと発表した。会見で半導体部門の黄昌圭社長は「2005年末までに300ミリウエハー上での8Ｇｂ品の量産を目指す」と語った。

同社長によると、8Ｇｂのフラッシュメモリーは16Ｇｂ容量のメモリーカードを作成でき、高精細（ＨＤ）映画で16時間、ＭＰ３フォーマットの音楽で340時間の蓄積が可能という。サムスン電子は線幅技術で01年100ｎｍ、翌年90ｎｍ、03年には70ｎｍへと移行、今回の開発成功は60ｎｍ技術の商用化へのメドをつけたことになる。

同社は先に、ロジックＩＣの機能、ＮＡＮＤ型の低コスト、ＮＯＲ型の高速性を一体化したメモリー「ＯｎｅＮａｎｄ」を発表、携帯電話、ＰＤＡ（デジタル携帯端末）、デジタルＴＶ市場への販売を目指すとしている。また、ＮＡＮＤ型とＮＯＲ型を合わせた世界のフラッシュメモリー市場で今年30％のシェア確保を目標にしている。