電波プロダクトニュース



041117_04
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
11月17日041117_04 (韓国)サムスン 半導体集積回路 メモリ 情報家電用

1Gビット超高速フラッシュメモリー



韓国のサムスン電子は90nm(ナノメートル)のプロセス技術を使った1Gb(ギガビット)の超高速フラッシュメモリーを開発した。このメモリーは「OneNAND(ワンナンド)」の名称で呼ばれ、次世代の携帯電話やモバイル端末での利用を目指している。同メモリーはNOR型フラッシュの高速データ読み取り機能とNAND型が持つ大容量のデータストレージ特性を1体化したもので、バッファメモリーと論理インターフェイスを統合したNAND型アーキテクチャーがベースになっている。

毎秒108MB(メガバイト)の読み取り速度を可能にする66Mヘルツの同期インターフェイスとキャッシュ読み取り機能を特徴とする1Gヘルツのワンナンドは従来のNAND型フラッシュより4倍も読み取り速度が早いという。 1Gbのワンナンドは書き込み速度が毎秒10MB、このためDRAMバッファリングを必要とせず、フラッシュメモリーの全体のスペースへ直接書き込むことができる。 ワンナンドはNOR型フラッシュインターフェイス、NAND型フラッシュコントローラー・ロジック、NAND型フラッシュアレイ、最大5kBの内部バッファRAMで構成されるシングルチップ。


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