電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
12月30日 041230_01 富士通 半導体集積回路 ASIC/ロジック/ゲートアレイ 情報家電用

ベースバンドLSI



 富士通は、90nmプロセスを用いた携帯電話向けベースバンドLSIを開発、同社のFOMA端末「FOMA F901iC」に搭載した(既報)。 携帯電話に90nmプロセスを使用した半導体を搭載するのは、世界初となる。 半導体の微細化に伴い、動作していない間に漏れ出る電流“リーク電流”の増大が問題となっている。同社では増加するリーク電流の増加を抑制するとともに、動作時の消費電力を従来の6分の1に削減した。

このベースバンドLSIは、CPU、DSPをベースにしてW―CDMAの機能マクロを組み込み、FOMA向けのベースバンド処理機能のすべてをワンチップで実現する。 リーク電流の増大を防ぐため、低リーク電流テクノロジーを採用、配線技術には、LowK材料を採用して、低電力、低リーク電流を実現した。 3種類のVth値を持ったトランジスターを適材適所に配置、ゲート絶縁膜にはSiON膜の窒素の濃度を変化するといった、最適化を行った。

また、配線には、誘電率2・9のCu/LowK材料を使用した。 これにより180nmプロセスに比較して、消費電力は約3分の1に削減している。さらに、必要な動作性能を低電圧で実現することで、大幅な低消費電力化を図り、6分の1まで削減している。 同社では、今後の微細化にともなう解決策として、リーク低減に伴う性能劣化を回避するため、ハイエンドサーバー向けのトランジスター技術の転用や、ゲート絶縁膜のハイK膜化(45nmプロセス以降)、米トランスメタ社の「LongRun2」ライセンスによる基板バイアス印加、動作状況に応じた低リーク化を行っていく。


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