050115_02エルピーダ

050115_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月15日	050115_02	エルピーダ	半導体集積回路	メモリ	パソコン・ＯＡ機器用

DRAM待機電流を20分の１に低減した２５６MビットDDR　SDRAM

エルピーダメモリはこのほど、DRAMの待機電流を20分の1に低減する新技術「SSR（スーパー・セルフ・リフレッシュ）テクノロジー」を開発、この技術を256MビットのDDR　SDRAMに組み込んだ「EDD2516KCTA」を製品化した。

現在サンプル出荷中で、三月から量産を開始する予定。

DRAMのメモリーセルは、一個のトランジスターに一個のキャパシター（コンデンサー）が接続され、キャパシターに電荷を蓄えることでデータを記憶する。この電荷は、時間とともに減少するため定期的に電荷の再補充（リフレッシュ）をしないと電荷が失われデータエラーとなる。

システムの待機時などDRAMに長時間アクセスしない場合には、DRAMが自動的に最適な間隔でリフレッシュを行うセルフリフレッシュが用いられるが、この間隔を延ばすことができればセルフリフレッシュ時の電流を低減できる。

同社では、リフレッシュ間隔延長時のデータエラーは、電荷保持特性の悪いごく一部のメモリーセルのみに発生することに着目し、DRAM内部にエラー訂正回路を搭載することで、セルフリフレッシュ終了時のデータエラーを修復する技術、SSRテクノロジーを開発した。パッケージは、66ピンTSOPⅡ鉛フリーパッケージで提供される。

また、大容量化の要求に応えるため、DDP（ダブル・デンシティ・パッケージ）による512Mビット品も提供する。