050209_04東芝・サンディスク

050209_04
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
2月9日	050209_04	東芝・サンディスク	半導体集積回路	メモリ	一般産業用

70ナノプロセスによる８Gビット（１Gバイト）1チップNANDフラッシュメモリー

東芝と米サンディスク社は8日、70ナナノメートルプロセスを用い、1チップで8Gビット（1Gバイト）の大容量を実現するNAND型フラッシュメモリーの回路技術を共同開発したと発表した。

新技術は、メモリーセル一つ当たりの記憶容量を二倍に増加できる多値技術を導入したほか、設計の最適化により、チップ面積を従来の方式で設計した場合に比べ約5%小さい146㎜²とした。これにより、1㎝²当たり60億ビット（30億個のトランジスター）の高集積化を実現している。

前世代の90ナノメートルプロセスによる4Gビット製品と比べてもチップサイズの増加は5%以内に抑えられ、ほぼ同サイズで二倍の容量を実現。

また、回路構造やプロセスの改良により、一秒当たり6Mバイトの高速書き込みを実現。読み出し速度は、データ転送効率の高いバーストモード採用により、従来製品に対し約40%高速の一秒当たり60Mバイトとしている。

両社では、2005年夏から合弁会社（東芝四日市工場内）で生産を開始する予定。そして06年にはこの8Gビット品を主力製品化する計画。また、2チップを一つのパッケージに積層した16Gビット製品も併せて製品化する予定である。

今回の成果は、6日から米国サンフランシスコで開催中のISSCC（国際固体素子回路会議）で7日（米国時間）に発表した。