040109_03(独)インフィニオン

040109_03

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月9日	040109_03	(独)インフィニオン	半導体集積回路	メモリ	一般産業用

フラッシュメモリー

　独インフィニオンテクノロジーズ（インフィニオン）はこのほど、世界で初めてＴｗｉｎＦｌａｓｈ技術をベースにしたＮＡＮＤ型512Ｍビットのフラッシュメモリー・チップを開発、フラッシュメモリー市場に参入した。このフラッシュメモリー・チップは、インフィニオンとサイファンセミコンダクターズ両社の合弁会社であるインフィニオンテクノロジーズ・フラッシュが開発した。

ＴＳＯＰパッケージで提供され、主にデジタルスチルカメラやＰＤＡなどに使われているＳＤカードやマルチメディアカード、コンパクトフラッシュカード、メモリースティックなどのリムーバル・ソリッド・ステート市場をターゲットにしている。ドレスデンのインフィニオン200ｍｍＤＲＡＭ工場で生産を開始している。

ＴｗｉｎＦｌａｓｈ技術は、サイファンセミコンダクターズが開発した先端的な不揮発メモリー技術であるＳａｉｆｕｎ　ＮＲＯＭ技術で製品化された。ＮＲＯＭ技術は、ＮＯＲ型フラッシュとＥＥＰＲＯＭのベースとなる技術として性能が実証されており、一個のトランジスター・セル内に2（Ｔｗｉｎ）ビットの情報量を別々の場所に1ビットずつ記憶する。

同等なプロセス構造を持つ1セル内で1ビットを記憶する浮動ゲート技術と比べると、ＴｗｉｎＦｌａｓｈ技術は1セル内に2ビットを記録でき、かつマスクのレベルが低いので、ダイの寸法は40％縮小されることから製造コスト面で有利である。

同社では、2004年末までに170ｎｍ技術を用いて月当たりウエハーで1万枚を超える生産をスタートさせる計画。さらにコスト・ポジションをさらに改善し、2Ｇビットまでの大容量化を可能にするため、より微細な110ｎｍ技術での生産を目指して開発を進めている。