040122_07STマイクロ

040122_07

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月22日	040122_07	STマイクロ	半導体素子	ディスクリート	汎用

パワーMOSFET

ＳＴマイクロエレクトロニクスはこのほど、オン抵抗が非常に低く、ゲートチャージと熱抵抗を低減したＮチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴ「ＳＴＤ１５０ＮＨ０２Ｌ」を発表した。

新製品は、24Ｖのドレイン・ソース間電圧、150Ａの最大ドレイン電流をサポートするＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ。これらの定格でオン抵抗は0.0035Ωとなっている。10Ｖでは、オン抵抗は標準で0.003Ωで、5Ｖでは0.005Ω。これにより、部品における伝導損失を低減する。また、ゲートチャージが低くなるように設計されおり、これは部品のスイッチング損失の低減に役立つ。

さらに熱抵抗を低く抑えた設計で電流を処理しやすくなっている。このパワーＭＯＳＦＥＴは、同社第3世代のＳｔｒｉｐＦＥＴテクノロジー0.6ミクロンプロセスで製造されており、独自のメタライゼーション技術とボンドレス・アセンブリ技術を使用して標準的なＤＰＡＫアウトライン・パッケージで優れたパフォーマンスを実現している。このため高出力電流動作のＤＣ―ＤＣコンバーターなどに最適である。