040130_05フィリップス

040130_05

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月30日	040130_05	フィリップス	半導体集積回路	メモリ	汎用

電力EEPROM

　フィリップスはこのほど、スマートカードをはじめ、民生品、通信および車載用途向けに0.18ミクロンＣＭＯＳ１８プロセス技術を採用した低電圧、低消費電力のＥＥＰＲＯＭを発表した。同社の新しいＥＥＰＲＯＭプロセスは、実績のある2トランジスターＮＯＲセル／フラッシュ・メモリー技術と同様のメモリーセル設計を採用している。この技術は、プログラミングと消去のいずれにもＦＮ（Ｆｏｗｌｅｒ―Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）トンネリングを使用し、低い電力消費を実現している。

また、メモリー・トランジスターのゲート面積拡大により充電容量が増大し、消去および読み出しのしきい値電圧を厳密に制御することが可能になり、プログラミングに必要な電圧が微増している。これらの設計変更により、ＦＮトンネリング・デバイスにおけるバイト消去で1ミリ秒を切る時間を達成している。

さらに一般的なセルサイズが5平方ミクロンの従来の0.18ミクロンＥＥＰＲＯＭに比べ、新ＥＥＰＲＯＭセルのセルサイズはわずか1.2平方ミクロンと4分の1の小型化を実現している。これにより、スマートカード・アプリケーションのコスト制約条件に適合しながら、シリコン表面に最大2Ｍビット（256ＫＢ）のＥＥＰＲＯＭが実装できる。同社は不揮発性メモリー技術ではすでに0.18ミクロンから0.15ミクロンの小型化に成功している。そして0.13ミクロンへと進化させ、最終的には100ナノメートル以下のプロセスに移行させる予定。