040204_03(韓国)ハイニックス

040204_03

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
2月4日	040204_03	(韓国)ハイニックス	半導体集積回路	メモリ	一般産業用

512MビットNANDフラッシュメモリー

韓国のハイニックス半導体は3日、0.12μ（ミクロン）のプロセス技術を使って512ＭビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を今月から開始すると発表した。生産はソウル郊外の利川工場で行う。512ＭビットはＭＰ３プレヤーで1時間以上の音楽をダウンロードでき、新聞では4000ページ分の情報を蓄積できる。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーではサムスン電子と東芝が2大メーカーだが、ハイニックスは512Ｍビット品に続いて、今年後半には1Ｇと2Ｇビット品を0.09μプロセス技術で、さらに来年には0.07μ技術による4Ｇビット品を開発することで、先行の2社を追う。同社はＮＡＮＤ型フラッシュメモリー開発に際し、昨年4月にＳＴマイクロエレクトロニクスと提携してＳＴの技術を導入した。