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MOS イメージセンサー 
松下電器半導体社は、世界で初めて１／４型200万画素（世界最小画素サイズ2.25マイクロメートル）のＭＯＳイメージセンサーを開発した。 米サンフランシスコで開催されているＩＳＳＣＣ２００４で、現地時間16日に発表する。 従来のＭＯＳセンサーは、ＬＳＩの製造に使われるＣＭＯＳの標準的なプロセス、および4個のトランジスターを採用した設計が一般的で、微細画素の実現が困難であり、画素数の増加ニーズを実現するうえでの障壁となっていた。 今回同社は（１）「4画素共有トランジスター構造」による画素回路規模の縮小に成功し、単位面積あたりの画素数を向上（２）「並列共通配線構造」により読み出し配線数を半減し、フォトダイオード面積比を向上。 （３）フォトダイオードを高電界領域と低電界領域に分ける「非対称電界フォトダイオード構造」により2.5Ｖの低電圧動作を実現、の新技術を開発し、世界初の１／４型200万画素イメージセンサーを実現した。 新型ＭＯＳセンサーは、従来の１／４型ＭＯＳセンサーに比べ、画素数が約6倍、画素サイズが約6分の1、4画素あたりのトランジスター数が半分以下、フォトダイオード面積比が1.4倍、動作電圧が4分の3（消費電力はＣＣＤイメージセンサー比5分の1以下）という特徴を持つ。 特許は国内36件、外国10件出願中。 同社では、今年秋以降の量産を計画している。 |
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