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電力送受信チップセット 
富士通研究所は次世代光通信システム向けに、毎秒50Ｇビットで動作する電力送受信チップセットを開発、世界で初めて1Ｗ以下の低消費電力を実現した。 技術詳細は米国で開催中のＩＳＳＣＣ２００４で17日（現地時間）発表する。 今回、ＩｎＰ―ＨＥＭＴ（インジウム燐高電子移動度トランジスター）技術を用い、50Ｇｂｐｓで動作する、4対1多重化回路（マルチプレクサ）と1対4分離回路（デマルチプレクサ）のチップセットを開発した。次世代の光通信で求められている、40Ｇｂｐｓシステムに適する。 フルレート方式による高い信号品質と動作マージンを持ちながら、消費電力は従来技術の30％に相当する、1Ｗ以下を実現した。 消費電力削減のために、位相制御回路がなくても高い信号品質を保つことができる、マルチフェーズクロック技術による新たな回路アーキテクチャーを開発した。回路内部で位相の異なるクロック信号を生成することで、位相制御回路を取り除くことができた。さらに各トランジスターのサイズ、論理動作を考慮した電圧配分の最適化設計で電源電圧を従来の半分以下の1.5Ｖまで下げた。 ＩｎＰ―ＨＥＭＴ技術により、マルチプレクサでは283フェムト（1000兆分の1）秒をデマルチプレクサではクロックマージン250度Ｃを達成した。 |
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