電波プロダクトニュース



040608_01
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
6月8日040608_01 ルネサステクノロジ 半導体素子 ディスクリート 汎用

パワーMOSFET



 ルネサス テクノロジはこのほど、ノートパソコンなどのパワーマネジメントスイッチやリチウムイオン電池の充放電制御用途向けに低オン抵抗を実現し、耐圧がマイナス30VのPチャンネルパワーMOSFET「HAT1125H」を開発、8日からサンプル出荷を開始する。税込みサンプル価格は105円。量産は10月から当初月60万個で開始し、2005年10月には月200万個を生産の予定。

新製品は、微細プロセスの採用によるセル構造の高密度化・最適化により、従来品に比べ2.7ミリΩ(typ)と、業界標準のSOP―8サイズの小型面実装パッケージ品では、業界トップの低オン抵抗を実現している。このため低損失化によるシステムの省電力化、小型化が図れる。 パッケージは、従来品と同様SOP―8サイズの小型面実装パッケージLFPAKを採用、ワイヤレス構造により、ワイヤに起因する抵抗性分やインダクタンスを極限まで抑えている。

同社では今後、耐圧マイナス20Vの製品やゲートドライブ電圧マイナス2.5Vの製品、2素子入りのSOP―8パッケージ製品などのバリエーションを増やし、小型モーター駆動などの幅広い用途に対応していく予定。


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