040629_03ルネサス

040629_03
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月29日	040629_03	ルネサス	半導体素子	ディスクリート	汎用

パワーMOSFET

　ルネサス　テクノロジ（長澤紘一会長＆ＣＥＯ）はこのほど、パワーＭＯＳＦＥＴの新パッケージとして、上面から放熱する構造によりヒートシンクを上に取り付けることで、大幅に放熱特性を改善し、大電流化を実現する上面放熱パッケージ「ＬＦＰＡＫ―ｉ」を開発。このパッケージ採用のパワーＭＯＳＦＥＴ「ＨＡＴ２１６５Ｎ」（税込み価格＝168円）「ＨＡＴ２１６６Ｎ」（同147円）「ＨＡＴ２１６８Ｎ」（同105円）を製品化、7月からサンプル出荷を開始する。量産は12月に当初合計20万個で開始し、2005年には3製品合計で月100万個を生産の予定。

新パッケージは、上面に放熱ダイヘッダが露出した構造でヒートシンクを上に取り付けた場合、従来のプリント配線基板に放熱する構造のパッケージＬＦＰＡＫに対し、熱的飽和状態での実装熱抵抗値を25度Ｃ／Ｗから15度Ｃ／Ｗへと40％低減した。このためＬＦＰＡＫに対し約30％の大電流化ができサーバーのＶＲ（ＤＣ―ＤＣコンバーター）の小型化が図れる。

また、業界標準のＳＯＰ―８パッケージと同電極配置で、しかも同一フットプリントのためＳＯＰ―８と同様のシステム設計、実装が可能である。主な用途は、サーバー用ＶＲやスイッチング電源の同期整流用など。