電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
10月29日041029_02 ルネサス 半導体素子 ディスクリート 汎用

パワーMOSFET



 ルネサス テクノロジはこのほど、ノートパソコン、通信機器などのDC―DCコンバーター用パワーMOSFETとして、2つの素子をSOP―8サイズの高放熱パッケージWPAKに搭載した「HAT2210WP」を製品化、29日からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は84円。量産は2005年4月から月100万個で開始する。

新製品は、高放熱型WPAKの採用によりSOP―8採用の従来品に対して熱抵抗を半分に削減した。これにより約1.5倍の出力電流が制御可能になるため、大電流化が求められるDC―DCコンバーターのパワーMOSFET搭載個数を低減できる。

また、業界標準のSOP―8とほぼ同じ実装面積5.3×6.1ミリメートルと、約半分の薄さ0.8ミリメートルを実現しており、DC―DCコンバーターの小型・薄型化が図れる。 このパワーMOSFETは、ハイサイド用とローサイド用の2素子搭載のため分割ドレイン構造としている。そして各素子には最新の0.35ミクロンプロセス採用の第八世代パワーMOSFETを採用している。

ハイサイド素子はスイッチング速度を重視し、ローサイド素子は低オン抵抗を重視した最適化設計により、DC―DCコンバーターの低電圧出力に対応した高効率化を図っている。


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