電波プロダクトニュース



041120_02
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
11月20日041120_02 エルピーダメモリ 半導体集積回路 メモリ 汎用

1GビットDDR2/SDRAM



 エルピーダメモリは18日、1G(ギガ)ビットDDR2 SDRAMの800Mビット/秒動作に成功したと発表した。

800Mビット/秒動作のDRAMは、現在標準化が進められているDDR2―667(667Mビット/秒動作)を上回る世界最速のDRAMで、100ナノメートルプロセスで量産している1GビットDRAMの高性能なトランジスター特性を生かして、プロセスと回路設計の改良により高速化を図ったもの。

配線の低抵抗化を考慮した新しいレイアウトの適用により、配線容量を低減、1Gビットの大容量チップにもかかわらず充放電電流を低く抑えることにも成功している。 同社では、今回の技術により大容量DRAMでの超高速技術と低消費電力を両立する設計手法を確立した、としている。


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