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次世代高性能プロセッサー向け低消費電力トランジスタ  【ニューヨーク支局】米インテルと英国の研究開発会社キネティックは低消費電力を特徴とする次世代高性能プロセッサーを可能にするトランジスターを共同開発した。 双方の研究者はインジウムアンチモン（InSb）を使い、キネティック開発による新しいトランジスター材料採用の“量子井戸”トランジスターの開発に成功したもの。InSbは化合物半導体の一種で、この材料を使ったトランジスターを利用することで研究者はスイッチング速度が速く、電力消費の少ない極めて低電圧で動作するデバイスをつくることができるという。 今回の共同研究では従来のトランジスターと同じ性能なら消費電力が10分の1、消費電力が同じなら性能は30%向上という結果を得たとしている。 キネティックとの共同研究に参加したインテルの技術・製造グループのディレクター、ケン・デイビッド氏は「InSbが将来のトランジスターで有望な材料になることがわかった。またInSbは当社が今後研究を一段と強化する材料でもある」と語った。キネティック側でも「英国防省のプロジェクトの一環として初めてInSbトランジスターの開発に成功した。まだ開発の初期の段階だが大きな可能性を秘めている」（高速トランジスターグループの事業マネジャー、ティム・フィリップス氏）との見方だ。 |
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