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立体回路構造により、31平方ミリで１ギガビットを実現したOTPメモリー  米マトリックス・セミコンダクタ（デニス・シーガス社長兼ＣＥＯ）は、３Ｄ（立体）回路構造による３１平方ミリメートルという世界最小のダイで、１ギガビットという超高密度を実現したメモリー「Ｔｒｉｎｉｔｙ」を開発、近くサンプル出荷を開始する。量産出荷は、今夏から。 新製品は、立体回路における各レイヤを異なる幾何パターンで処理し、統合する「ハイブリッド・スケーリング」と、「セグメンテッド・ワードライン」という２つのアーキテクチャ採用により、メモリー容量をシリコン面積を増やすことなく従来品に比べ倍増している。 メモリーはシリコンの表面積により集積回路のコストを左右する。同社の３Ｄ構造は高層化によってコストを引き下げ、密度を向上させるもので、新製品は最下層を標準的なＣＭＯＳとする“４層構造”。 0.15マイクロメートルの設計プロセスを使用。 同社の３Ｄメモリーは、ＯＴＰ（１度のみの書き換え可能な高密度な不揮発性メモリー）で、従来の標準的なメモリーとの完全互換性がある。 市場への早期参入可能と低価格を特徴にデジカメ、ＰＤＡ、携帯電話などのポータブル機器用として、現在、月１００万個を出荷している。 日本市場に対しては、このほど販売代理店として「イノテック」と契約、本格的な販売、ビジネスサポート活動を展開する。 |
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