050523_01サムスン電子

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
5月23日	050523_01	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

90nmプロセス技術を使用したマルチメディア向け512MビットXDR・DRAM

【ソウル支局】韓国サムスン電子は、マルチメディア・アプリケーション向けの最速メモリー製品で、初の９０ナノメートルのプロセス技術を使用した５１２メガビットＸＤＲ・ＤＲＡＭのサンプル生産を開始した。

同製品はデータ伝送速度が最大毎秒9.6ギガバイトで、ＤＤＲ４００メモリー製品の４倍、先進のＲＤＲＡＭ（ＰＣ８００）製品の６倍以上の高速を実現した。回路線幅９０ナノメートルの微細加工技術を使用により、ピーク時の動作速度は電圧1.8ボルトで4.8ギガｂｐｓを達成した。

最新型のゲーム機器やデジタルテレビ、ハイエンドのサーバーおよび高付加価値ワークステーションなど先進のデジタル画像、３Ｄグラフィックスを必要とする高性能ブロードバンド・アプリケーションをターゲットとしており、ソニー・コンピュータエンタテインメント（ＳＣＥ）の次世代ゲーム機器「プレイステーション３」にも採用が決まっている。

同メモリーは米ラムバスのＸＤＲメモリー・インターフェイス技術をベースとしており、多様なデータ入出力要求に対応。×２、×４、×８、×１６バージョンが発売される予定だ。

米調査会社ＩＤＣによると、ＸＤＲ・ＤＲＡＭ市場では、０９年出荷数は、２５６メガビット換算で８億個と予想されている。