050621_01半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月21日	050621_01	半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト	半導体素子	ディスクリート	一般民生用

世界最小のゲート長６ナノメートルのシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）トランジスタ

半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト（廣瀬全孝リーダー）は、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）を用い、世界最小のゲート長６ナノメートルＳＯＩトランジスタの動作に成功した。２２日まで米サンタバーバラで開催中の「２００５デバイス・リサーチ・カンファレンス」で発表を予定。

今回の開発では、まず、シリコンと結晶格子サイズが最も一致するシリサイド材料を選択し、自己組織的に原子レベルで平たんな界面を形成した。さらに、シリサイドに注入した不純物が低温で拡散し、シリコン界面に偏折する現象を利用してソース・ドレイン接合を形成した。

トランジスタの作製工程は、イオン注入を簡略化でき、接合形成に必要な熱処理温度を従来製法に比べ400℃下げることができ、金属ゲート・高誘電率絶縁膜ゲート積層技術に適合。原理的に短チャンネル効果に強く寄生抵抗を低減、素子性能のばらつきの解決にも有効。極限まで微細化された将来のトランジスタの量産技術としての活用が期待される。

同プロジェクトは、半導体メーカーなど、民間２４社と産業技術総合研究所が、ＮＥＤＯ（新エネルギー・産業技術総合機構）の委託事業として推進している。

◇ＳＯＩ＝シリコン・オン・インシュレータ。埋め込み酸化膜の上に活性層のシリコンがある基板。４５ナノ技術世代以降では必須とされている。