050627_02
ArFスキャナ採用による80ナノメートルプロセスを用いた2ギガビットのDDR2 SDRAMの製品化  エルピーダメモリはこのほど、８０ナノメートルプロセスに向けた開発を完了、この最先端プロセスを用いた２ギガビットのＤＤＲ２ ＳＤＲＡＭの製品化に成功した。今後、本格量産化に向けての評価・改良を進め、０５年度内の量産開始を目指す。 同社は、今回の８０ナノメートルプロセスから、ＡｒＦ（フッ化アルゴン・エキシマレーザー、波長１９３ナノメートル）スキャナを採用した。 製品化した２ギガビットＤＤＲ２ ＳＤＲＡＭは、プロセスと回路／レイアウト設計の最適化により、高速動作DDR2-800（８００メガｂｐｓ動作）品を安定供給する。現行量産品の最高速DDR2-667に比べ、高速性能を約２０％向上した。 また、システム上の低消費電力化や、熱特性改善に貢献する動作電流の低減も図った。現在、量産中の１００ナノメートルプロセス１ギガビット品とほぼ同等の電流特性を確認している。 標準メモリーモジュール（ＤＩＭＭ）搭載可能なチップサイズ。さらに、高さ30.00ミリメートルのレジスタードＤＩＭＭや、30.35ミリメートルのFB-DIMMへの搭載可能なチップサイズを実現した。 これらの製品の特徴により、同社はサーバーをはじめとする大容量、高品質のＤＲＡＭ搭載システムの高機能／高性能化に貢献できる、としている。 |
||||||||||||