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世界初のメモリー容量16キロビットフレキシブルTFT-SRAM  セイコーエプソンは２９日、世界で初めてフレキシブルＴＦＴ―ＳＲＡＭの開発・試作に成功したと発表した。 このフレキシブルTFT-SRAMはメモリー容量が１６キロビットで、ＳＲＡＭを構成するのに必要なすべての回路ブロックを１チップ上に形成した。これにより、これまでに発表されているフレキシブルなメモリーでは実現できなかった高速安定動作と3.0-6.0ボルトの低電圧駆動を実現している。また、このメモリーを独自に開発した非同期８ビットマイクロプロセッサ「ＡＣＴ１１」の一時記憶領域として使用し、デモプログラムを実行することに成功した。 デザインルールは、３マイクロメートルで、メモリーセルサイズは68×47.5マイクロメートル、外形寸法は10.77×8.28ミリメートル、厚さ２００マイクロメートル。 | ||||||||||||