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70ナノプロセスによる世界初の512メガビットDDR2 SDRAM  【ソウル支局】韓国サムスン電子はこのほど、回路線幅７０ナノメートルのプロセス技術を使用した世界初の５１２メガビットＤＤＲ（ダブルデータレート）２ ＳＤＲＡＭ（同期ＤＲＡＭ）＝写真＝の開発に成功した。 ＤＲＡＭ向けでは７０ナノの線幅は世界最小。現在、サムスンがＤＲＡＭ生産に使用している９０ナノ技術に比べ、生産量が最低でも２倍以上になるとしている。 同社では今後、既存の９０、８０ナノ技術と７０ナノの新技術の継続性を維持する。 新ＤＲＡＭ製品の開発には、ＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）キャパシタや、「S-RACT」と呼ばれる３Ｄトランジスタ・アーキテクチャが採用された。これら技術により、スタック型ＤＲＡＭの限界を克服、データリフレッシュ機能を大幅に改善した。 サムスンでは、０６年下半期から５１２メガビット、１ギガ、２ギガのＤＲＡＭ生産に７０ナノ技術を導入する計画。 ＤＲＡＭは、次世代ゲーム機器や新型３Ｇ（第３世代）携帯電話、マイクロソフトの次世代ＯＳ「Ｖｉｓｔａ」搭載ＰＣなどの市場投入により、今後さらに需要の拡大が見込まれる分野。 | ||||||||||||