051118_02インテル

051118_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月18日	051118_02	インテル	半導体集積回路	メモリー	移動体通信機器用

90ナノプロセスによる1.8ボルト動作の多値セル型NORフラッシュメモリ

インテルは１７日、９０ナノメートルプロセスにより、1.8ボルト動作の多値セル型ＮＯＲフラッシュメモリー“セルラ・メモリ”「Ｍ１８」を発表した。

カメラ、Ｗｅｂブラウジング、ビデオなど多様な機能を搭載するようになった携帯電話への搭載を目的としたもの。

読み出し速度１３３メガヘルツ、書き込み速度最大５００キロバイトと業界最高レベルを達成している。

消費電力も１３０ナノメートルプロセス技術で製造された製品に比べ、書き込み時に３分の１、消去時に約２分の１に削減するとともに「ディープ・パワー・ダウン動作モード」を新開発、携帯電話のバッテリ持続時間を延長できる。

スタック製品展開により、２５６メガビットから１ギガビットまでのＮＯＲメモリー容量を提供する。

１０月はじめから米カリフォルニア州サンタクララのＤ２棟で量産に入っており、０６年第３四半期からはイスラエルのＦａｂ１８でも生産を予定。

ほぼすべてのチップセットおよびＯＳベンダーとの動作検証を実施、完了している。

Ｍ１８ファミリは、すでにＮＥＣ、ソニー・エリクソンなど、世界の携帯電話メーカー８社で採用が決定、１５社７２機種での採用に向け商談中という。

同社は、現在、ＮＯＲ型フラッシュメモリーのシェア１位を目指しており、今回の携帯電話向け新製品の投入もその一環。