060125_02三菱電機

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月25日	060125_02	三菱電機	半導体複合部品	機能モジュール	一般産業用

3.7キロワット定格モータを駆動できるシリコンカーバイド基板を使ったMOSFET型インバータ

三菱電機は２４日、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）基板を使ったＭＯＳＦＥＴ（金属・酸化膜・半導体電界効果トランジスタ）型インバータで、3.7キロワット定格の高出力モーターの駆動に世界で初めて成功したと発表した。

同社は０４年から、耐圧１２００ボルト、電流１アンペア級でオン抵抗率12.9ミリオーム平方センチメートルのSiC-MOSFETの試作を進めている。

今回、セルサイズの最適化などにより、オン抵抗率を従来比２２％減の１０ミリオーム平方センチメートルまで低減させ、構造やドーピング濃度などの工夫により高電圧使用時の特性を安定させ、耐圧１２００ボルト、電流１０アンペア級のSiC-MOSFETを開発。さらにSiC-SBD（ショットキー障壁ダイオード）と組み合わせてパワーモジュールを作ることに成功した。

これを搭載したＳｉＣインバータで、３・７キロワット定格のモーター駆動に成功し、さらにシリコンを用いたインバータと比べて電力損失を５４％低減できることを実証した。

先端技術総合研究所パワーエレクトロニクスシステム開発センターの小山正人センター長は「インバータの応用分野が広がりを見せる中、電力損失の問題が深刻化している。現在主流のシリコンを用いたパワーデバイスは、この２０年間で電力損失を３分の１まで抑えてきたが、近年その限界を迎えつつある。今回の成果により、シリコンよりもさらなる損失低減が図れるＳｉＣを使ったインバータの実用化が大きく前進した」と話す。