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45ナノメートルプロセス技術を用いた153メガビットSRAMチップ  【ニューヨーク支局】米インテルは２５日、業界で初めて次世代の半導体量産技術となる４５ナノメートルプロセス技術を用いて完全に動作する１５３メガビットＳＲＡＭ（スタチック・ランダム・アクセス・メモリー）チップを開発したと発表した。今後、開発および評価を行い、０７年に量産が予定されているマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）への応用を進めていく。 このＳＲＡＭは、１０億個以上のトランジスタを集積している。同社ではこのＳＲＡＭは、４５ナノメートル製造プロセス技術によるプロセッサや各種ロジック・チップ実現の前に、技術面での性能、プロセスの歩留まり、チップの信頼性を実証するために開発したものとしている。 同社では、４５ナノメートルプロセス技術に対応した製造拠点として、同プロセスの最初の開発作業が行われているオレゴン州のＤ１Ｄに加え、アリゾナ州のファブ３２とイスラエルのファブ２８の２つの半導体量産施設を建設している。 | ||||||||||||