060516_02 インフィニオン

060516_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
5月16日	060516_02	インフィニオン	半導体集積回路	専用IC	移動体通信機器用

65ナノメートルCMOSプロセス技術使用で高性能・低消費電力の携帯電話用チップ

　独インフィニオン・テクノロジーズはこのほど、65ナノメートル（ナノは10億分の1）ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）プロセス技術を使用した同社初の携帯電話用チップを開発した。33平方ミリメートルのスペースに3千万個以上のトランジスタを組み込んでおり、高性能、低消費電力を実現。今年後半にも量産開始の予定。

　インフィニオンは同チップを米ＩＢＭ、シンガポールのチャータード、韓国サムスン電子などとの65/45ナノ技術に関する提携研究・開発事業（ＩＣＩＳ）を通じて開発。独デュイスブルクとインド・バンガロールでの試験の結果、コンポーネントは最初から完全に機能したとしている。

　チップ面積は33平方ミリメートルで、3千万以上のトランジスタを搭載。これにより、ＭＣＵ（マイクロコントローラ）/ＤＳＰ（デジタル信号処理）コア、ストレージ、アナログ/混合信号プロセッサなど携帯電話用の主要デジタル・アナログ回路を、65ナノの微細加工技術によるチップに実装できる能力が証明されたとインフィニオンは自信をみせる。この省スペース技術は今回初めて、高周波数回路製造にも使用された。

　同社通信ソリューション・グループを統括するハーマン・ユール博士は「今日入手できるデータでは、当社の提携戦略が非常に強力であることを示している。こうした提携の結果、研究・開発資源や膨大な知的資本の利用が可能になり、製品の市場投入時間の短縮、デバイスの性能指数、製造の柔軟性に向けた取り組みで、我々は業界をリードする地位を確立できた」と述べ、今回の先進チップ開発がＩＣＩＳの活動による成果を反映したものであることを強調した。

　 65ナノ技術を利用した携帯電話用チップは、ファンドリ大手のチャータードが生産を担当。今年後半に量産を開始する。