電波プロダクトニュース



060523_01
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
5月23日060523_01 沖電気 半導体集積回路 その他IC 一般民生用

シリコン・オン・サファイア技術により高アイソレーションのCMOS RFスイッチ


 沖電気工業は、シリコン・オン・サファイア(SOS)技術により高アイソレーションのCMOS RFスイッチ「ML81221GD」=写真=を開発、18日からサンプル出荷を開始した。

  サンプル価格は120円(税別)。量産出荷は10月から。販売目標は月50万個。

  ML81221GDは、FMラジオ、テレビ、GPSなど受信機器でのアンテナからの高周波信号の切り替えに最適なスイッチ。SOS技術と、新たに採用した独自のスイッチ構成により、スイッチオフ時に900メガヘルツで40デシベル(信号漏えい0.01%)と、従来品に比べて100倍のアイソレーション特性を実現。

  また、GaAs(ガリウム・ヒ素)化合物半導体によるRFスイッチに比べ、5分の1以下という低消費電力を実現するとともに、2千ボルト以上の静電気耐圧を有している。動作周波数は、DC-2.0ギガヘルツ。

  SOS技術は、サファイア基板上にシリコンの単結晶を成長させ、そこに集積回路を形成するシリコン・オン・インシュレータ(SOI)技術の一種。サファイア基板は、電気的に優れた絶縁特性を持っており、形成した各種素子の寄生容量がほとんどなく、高アイソレーション特性、低消費電力という特徴を持つ。

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