061006_01 ルネサス

061006_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
10月6日	061006_01	ルネサス	半導体素子	ディスクリート	自動車機器用

車載用半導体スイッチ用Pチャンネルの過熱遮断機能内蔵パワーMOSFET

　ルネサス　テクノロジはこのほど、自動車のヘッドライトやストップランプなどをオン/オフする車載用半導体スイッチとして、Ｐチャンネルの過熱遮断機能内蔵パワーＭＯＳＦＥＴ「ＲＪＥ０６０１ＪＰＥ」を開発、１２月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は２１０円。量産は、０８年１月から当初月６万個で開始し、０９年１月から月３０万個で生産の予定。

　新製品は、耐圧がマイナス６０ボルト、電流がマイナス４０アンペア。Ｐチャンネルの過熱遮断機能内蔵パワーＭＯＳＦＥＴでは、業界で初めてトレンチゲート構造を採用し、２２ミリオーム（マイナス１０ボルト時）の低オン抵抗を実現している。

　また、車載用半導体スイッチとして多く使用されるハイサイドスイッチにＰチャンネルパワーＭＯＳＦＥＴを適用した場合、Ｎチャンネル品で必要な外付け昇圧回路が不要となるため、約１５％駆動回路を省スペース化できる。ノイズやサージの発生も低減できる。

　内蔵過熱遮断機能は、システムの異常過熱、および過負荷による素子発熱を検知し、パワーＭＯＳＦＥＴのゲート部を遮断する。素子破壊を防止できるため、システムの高信頼度化が実現できる。パッケージは、１０.２×１３×４.４４ミリメートルの３端子面実装パッケージＬＤＰＡＫで供給される。