061108_01 NECエレクトロニクス

061108_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月8日	061108_01	NECエレクトロニクス	半導体集積回路	専用IC	一般民生用

集積度を向上しながら消費電力を削減できる回路線幅55ナノのDRAM混載プロセス技術

　ＮＥＣエレクトロニクスはこのほど、回路線幅が５５ナノメートルのＤＲＡＭ混載プロセス技術「ＵＸ７ＬＳｅＤ」を開発した。

　同社では、この技術を用いたＤＲＡＭ混載ＬＳＩを携帯電話端末やゲーム機などの高度な画像処理と、低消費電力の両立が求められる分野を中心に、０７年後半をメドに製品化し、量産を開始する計画。

　今回の技術は、９０ナノメートル世代のＤＲＡＭ混載ＬＳＩで使用されている情報を記録するための容量（キャパシタ）部であるＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）キャパシタを形成する絶縁膜に、極薄ハフニウムシリケートと酸窒化膜を積層したゲート絶縁膜を採用している。

　これにより、トランジスタのオン電流を約２０％増加させ処理を高速化、さらにチャンネル部分の不純物濃度を低減することにより、ドレインと基板の間のリーク電流を低減し、データを長時間保持できるようにした。

　また、ハフニウムシリケートの高誘電率絶縁膜と、ニッケルシリサイド、およびポリシリコンのゲート電極とを組み合わせて用いることにより、寄生抵抗の上昇を抑制して、高速動作を可能にした。

　今回の技術を用いると、現行の９０ナノメートルルールのＤＲＡＭ混載ＬＳＩに比べ、集積度を向上しながら消費電力を削減できるため高性能、低消費電力の製品が容易に実現できる。