モバイル製品向け回路線幅80ナノのプロセス技術を採用した業界初の1ギガビットモバイルDRAM

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は２７日、回路線幅８０ナノメートルのプロセス技術を使用し、業界初の１ギガビットモバイルＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時読み出し書き込みメモリー）を開発したと発表した。他のモバイルソリューションに比べ、データ記憶容量と伝送速度に優れているほか、新しいパッケージング技術の採用で、高コスト効率、低消費電力も実現した。

　新しいＤＲＡＭは、低電力ＤＤＲまたは同期ＤＲＡＭとも呼ばれるメモリー製品で、携帯電話や携帯用のゲーム機、デジタルカメラなどのモバイル製品を対象に提供される。

　 同製品は、５１２メガビットのメモリーチップを積層して１ギガビットパッケージ製品として提供する。温度補償セルフ・リフレッシュ機能を備え、ＤＲＡＭに電荷を補充する時間間隔（リフレッシュタイム）を最大限とすることで、従来のメモリーチップ設計に比べ、待機時の消費電力を３０％以上削減。電流も３０％下げることができる。

　 さらにサムスンの１ギガビットモバイルＤＲＡＭは、独自のマルチスタック・パッケージング技術で、従来の５１２メガビットチップを２個集積した製品より、２０％以上薄型化を実現した。
　 同社はこの技術を応用し、０７年には１.５ギガビット、２ギガビットのシングルチップ・モバイルＤＲＡＭ製品も開発する計画だ。

　 今回発表した１ギガビット製品は、パッケージの上にさらにパッケージを積層するＰｏＰ技術などで、フラッシュメモリーを統合することも可能という。

　 携帯電話をはじめとするモバイル製品は、メモリー容量は大きいが低消費電力で小型であることが必須条件となっている。これら製品に使用されるメモリーも同じ機能が求められ、サムスンは大容量ＤＲＡＭ需要が大きく拡大するとみられる０７年第２四半期をメドに、１ギガビットモバイルＤＲＡＭの量産に着手する計画だ。