電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
12月28日061228_02 ハイニックス・セミコンダクター 半導体集積回路 メモリー パソコン・OA機器・LAN用

業界初の線幅60ナノプロセス技術による1ギガビットDDR2 DRAMチップと1ギガバイトと2ギガバイトモジュール



 【ソウル支局】韓国のハイニックス・セミコンダクターはこのほど、業界初の線幅60ナノメートルプロセス技術による1ギガビットDDR2 DRAMチップと、これをベースとした1ギガバイト、2ギガバイトのモジュール製品を発表した。モジュール製品は現在、米インテルが性能評価を行っている。

  1ギガビットDRAMは業界最速の800メガヘルツで動作。60ナノメートル技術を利用したことで、製造コストを前世代の80ナノメートル技術のものに比べ最大50%削減できる。

  同社は60ナノメートル技術により微細化を図った1ギガビットDRAMを使用することで、4ギガバイト以上のRDIMMやFB−DIMMもコスト効率良く製造できると期待している。

  小型パッケージにより、平面2列アセンブリが可能となり、モジュールにチップを積層する必要がなく、全体の製造コストも低く抑えることができる。

  同社の製品開発部門、H・ジュー副社長は「当社の60ナノメートルプロセスは、最悪のコンディション下でも非常に安定している。さらに3次元トランジスタ構造と、3層メタル加工により、チップの性能を大幅に向上させることができた」と述べた。

  ハイニックスは07年下半期にも、1ギガビット・DDR2 DRAMチップと2ギガバイトのモジュール製品の量産を開始する計画だ。


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