電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
1月5日070105_03 サムスン電子 半導体集積回路 メモリー デジタル情報家電用

50ナノメートル技術と4キロバイトページサイズのMLCを採用した業界初の16ギガビットNAND型フラッシュメモリ


 【ソウル支局】韓国のサムスン電子は3日、回路線幅50ナノメートルの微細加工技術を使用した、業界初の16ギガビットNAND型フラッシュメモリーのサンプ出荷を開始したと発表した。

  同製品は、データの読み取り、書き込み機能を強化するため、4キロバイトのページサイズを持つマルチ・レベル・セル(MLC)設計を採用した。

  MLC設計の従来の2キロバイトページング・システムに比べて、読み取り速度は2倍、書き込み速度は150%増を実現した。

  これを使用することでモバイル製品は、大容量データファイルを従来以上に高速処理できるようになる。

サムスンは、フラッシュメモリーとハードディスクの2つの長所を併せ持つソリッド・ステート・ディスク(SSD)やその他の高密度アプリケーション向けに、16ギガバイトNAND型フラッシュメモリーを提供する計画。

  今年第1四半期に量産を開始する。

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