070119_01
携帯端末機器にターゲットを絞った55ナノプロセスによる低消費電力セルベースIC
セルベースＩＣはＡＳＩＣ（特定用途向けＩＣ）の一つ。半導体メーカーが準備したＩＰコアと提供するセルライブラリを用いてユーザー（機器メーカーなど）が設計する独自回路を組み合わせることにより作り上げるシステムＬＳＩ．高性能で、大規模システムＬＳＩを多量に生産する手段として使用される。 同社は２０００年に１５０ナノメートルプロセスによるＣＢ−１２を市場投入。以後、１３０ナノメートルのＣＢ−１３０、９０ナノメートルのＣＢ−９０と品種を拡大してきた。 今回、開発したＣＢ−５５Ｌは、高誘電率（ハイ−ｋ）ゲート絶縁膜を世界に先駆けて採用したことでＣＢ−９０品に比べリーク（漏れ）電流を４分の１、消費電力を４０％削減した。１平方ミリメートル上の集積度も２.３倍（９２万５千ゲート）を実現している。 さらに最新のＤＦＭ（デザイン・フォー・マニュファクチャリング）の導入で微細化に伴うバラツキを抑え、高信頼性を確保している。次世代のセルベースＩＣでは４５ナノメートル世代での開発が予想される。 「ＣＢ−５５Ｌは携帯端末機器にターゲットを絞り受注を拡大、ことし後半から０８年にかけての出荷開始を予定している。０８年度にはかなりの売上げを期待したい」（井口広・第１システム事業本部長）。 |
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