070119_02 ルネサス　テクノロジ

070119_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月19日	070119_02	ルネサス　テクノロジ	半導体素子	ディスクリート	パソコン・OA機器・LAN用

無線LAN端末などのRFフロントエンド向け業界最高レベルの性能を実現したSiGeHBTパワートランジスタ

　ルネサス　テクノロジはこのほど、無線ＬＡＮ端末やデジタルコードレス電話、ＲＦタグリーダー/ライター向けに、業界最高レベルの性能を実現したＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）ＨＢＴ（ヘテロ接合・バイポーラ・トランジスタ）パワートランジスタ「ＲＱＧ２００３」を製品化、３月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は１０５円。量産は、６月から月１０万個で開始し、１０月には月５０万個を予定している。

　新製品は、無線ＬＡＮ端末などのＲＦフロントエンドで送信電力を増幅するトランジスタで、ＨＳＧ２００２の後継品。５ギガヘルツ帯と２.４ギガヘルツ帯の各性能は５.８ギガヘルツで電力利得６.４デシベル、１デシベル利得圧縮電力２６.５ｄＢｍ、付加効率３３.６％、２.４ギガヘルツで電力利得１３.０デシベル、１デシベル利得圧縮電力２６.５ｄＢｍ、付加効率６６.０％となっている。

　これらの性能によって、機器の低消費電力化が図れる。

　パッケージは、完全鉛フリーの小型面実装８ピンＷＱＦＮ０２０２（２.０×２.０×０.８ミリメートル）を採用、ＲＦフロンエンド送信部の省スペース設計が可能である。