プラズマ・ディスプレイ・パネル用に低オン抵抗と超低ゲートチャージによりクラス最高の高効率と省スペースを実現するNチャンネルMOSFET

　フェアチャイルドセミコンダクタージャパン（グレッグ・ヘルトン社長）は、このほどプラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）用に、高効率と省スペースを実現するＮチャンネルＭＯＳＦＥＴの新製品「ＦＤＢ２６１４」「ＦＤＢ２７１０」を発表した。

　新製品はフェアチャイルドの独自技術「ＰｏｗｅｒＴｒｅｎｃｈ」プロセステクロジーを採用。同様のデバイスに比べ、オン抵抗が非常に低い。ＦＤＢ２６１４（２００Ｖ）は２２.９ｍΩ、ＦＤＢ２７１０（２５０Ｖ）は３６.３ｍΩ。いずれもＴｙｐｉｃａｌ値。

　この低オン抵抗と超低ゲートチャージによりクラス最高の性能指数（ＦＯＭ）を達成、ＰＤＰシステムにおける伝導損失の低減と高スイッチング性能に貢献する。

　２００Ｖあるいは２５０Ｖのドレイン―ソース間耐圧でオン抵抗が非常に低く、チップサイズも小さいことから、デバイスは実装面積の小さいＴＱ―２６３パッケージで提供。価格（1000個購入時）はＦＤＢ２６１４が３ドル、ＦＤＢ２７１０が２ドル８０セント。