電波プロダクトニュース



070530_02
 
日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
5月30日070530_02 ラティスセミコンダクター 半導体集積回路 セミカスタムIC 一般産業用

90ナノメートルプロセスによる不揮発型フラッシュメモリ組込みで従来品に比べロジック容量を倍増し性能を25%向上したFPGA


 ラティスセミコンダクターは29日、90ナノメートルプロセスによる不揮発型フラッシュメモリー組込みのFPGA「XP2」ファミリーの製品化を発表した。

  「XP2−17」はサンプル出荷に入っており、第3四半期に量産出荷。今年までに全5品種のサンプル出荷、08年初めからの量産出荷を予定している。生産は富士通三重工場。

  XP2は、同社のフラッシュベースの130ナノメートルプロセスの従来品に比べ、ロジック容量を40Kルックアップテーブル(LUT)と最大集積規模を倍増、性能を25%向上している。また、専用DSPブロックを搭載して、機能的には最大50%低コスト化、1.2Vプロセス技術で消費電力も最適化してスタティックパワー消費を33%削減した。

  「flexiFlash」アーキテクチャと呼ぶ真正1チップ・ソリューションを提供する。これにより電源投入時あるいはユーザー・コマンドでフラッシュメモリーに格納されたデータがデバイスのコンフィグを制御するSRAMに転送される。約1ミリ秒でインスタントオンし、高いセキュリティも特徴。

  設計ツール環境「ispLEVER7.0」でサポートする。開発システムも同時に供給。対象用途は監視カメラやSTB、LCDパネルなど省スペースが求められる分野。


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