高速動作が重視されるアプリケーション向け業界に先駆け回路線幅60ナノの微細加工技術を使用した2ギガビットのDDR2 DRAM

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は１２日、業界に先駆け回路線幅６０ナノメートルの微細加工技術を使用した２ギガビットのＤＤＲ２　ＤＲＡＭを開発したと発表した。年末までには量産を開始する。

　６０ナノメートル技術による２ギガビットＤＤＲ２は、データ伝送速度毎秒８００メガビットで動作し、前世代の８０ナノメートル技術を使用した製品に比べ２０％、性能が向上する。また、より微細なプロセスを使用することで、生産性も約４０％改善した。

　高性能、大容量の新ＤＲＡＭは、サーバーやワークステーション、ノートＰＣなど、高速動作が重視されるアプリケーションに最適という。

　８ギガバイトモジュールを構築する場合、従来の１ギガビットチップなら７２個のコンポーネンツを必要とするが、２ギガビットＤＤＲ２はその半分で済む。消費電力も１ギガビットチップを使用した同じ容量のモジュールより約３０％少なく、熱放射も低いため、冷却システムの利用を最小限に抑えられる。

　サムスンでは今回開発した２ギガビットＤＤＲ２を使用し、容量８ギガバイトのＦＢＤＩＭＭ、同じく８ギガバイトのＲＤＩＭＭ、４ギガバイトのＵＤＩＭＭ、４ギガバイトのＳＯＤＩＭＭ、計４種類のメモリーモジュールを提供する。

　サムスンは既に６０ナノメートル技術を使用して、５１２メガビットから１ギガビットまでのＤＤＲ２を量産中。今回、２ギガビット製品生産でも６０ナノメートル技術を使用したことで、ＤＤＲ２　ＤＲＡＭ全製品の６０ナノメートルプロセスへの移行が完了する。

　米調査会社、ガートナー・データクエストによると、２ギガビットのＤＲＡＭ市場規模は２０１１年には１４０億ドルに達し、ＤＲＡＭ市場全体の４７％を構成する見込みだ。